Изготовление подгонянное трансформатором DW3945 серии EFD40 EFD высокочастотным

Изготовление подгонянное трансформатором DW3945 серии EFD40 EFD высокочастотным

CO. электроники Шэньчжэня Dowis, Ltd. профессиональный изготовитель электронных трансформаторов, индукторов, и фильтров интегрируя НИОКР, продукцию, и продажи. Национальное высокотехнологичное предприятие и проходило IATF16949: аттестация системы управления качеством автомобильной промышленности 2016, продукт проходила «"" CQC UL» и другие сертификации безопасности. Продукты широко использованы в оборудовании связи, новых кораблях энергии, промышленной аппаратуре регулирования, высокомощных приводах СИД, и других областях рынка. Индустрия имеет высокую видимость. В дополнение к внутреннему рынку, но также экспортированный к много стран в Европе и Соединенных Штатах.

Дальше для того чтобы расширить производственную мощность, оно настраивало особенный район конструкции испытательного участка в сотрудничестве Zhaoqing YueGui в 2018 из 14000 квадратных метров центра обрабатывающей промышленности назвало ZhaoQing Sheng Xiang электронным CO. технологии, Ltd. Свои команда управления техническая имеют богатый опыт в сотрудничать с клиентами от известных отечественных предприятий и международное. Дизайн продуктов может полно следовать потребностями и обслуживаниями клиента с системой хорошей проверки качества, и много известных предприятий как поставщики ядра. Мы смотрим вперед к сотрудничать с вами.

1. Чертеж

2. Условия окружающей среды

• Температура хранения: -20--70˚C;
• Экологическая температура: -40--70˚C;
• Рабочая температура: 110˚C МАКС;
• Относительная влажность: 10%-95%;
• Долгосрочный тест стойкости.
   

3. Электрическая спецификация

• Значение индуктивности: LN₁ =650-700µH (на: 1KHz, 0.3V);
• Значение q: N1>230 (на: 100KHz, 0.3V);
• Индуктивность рассеяния: LLN₁ =60-75µH (на: 1KHz, 0.3V, другое обматывая короткое замыкание);
• Диэлектрическая прочность: N1, N2----N3, утечка настоящее ≤1mA N4 @3750Vac/1min
  N1, утечка настоящее ≤1mA N2----Core @1750Vac/1min
  N3, утечка настоящее ≤1mA N4----Core @1750Vac/1min
• Сопротивление изоляции (25℃): N1: N2 mΩ ≤140: ≤60 mΩ N3: ≤2.5mΩ N4: ≤40mΩ

4. Процесс выпушки 2 ядров для трансформатора

Предусматривайте магнитное ядр со слоем ленты около 21mm*64mm длинной, и после этого сложите ленту за краем магнитного ядра для того чтобы покрыть весь край магнитного ядра. Лента на угле не будет повреждена.